138-1266-3007
| K568E規(guī)格配置表 | |
| 項(xiàng) 目 | 詳 細(xì) 參 數(shù) |
| 測(cè)試點(diǎn)數(shù) | 新CMOS+RELAY設(shè)計(jì) 128點(diǎn) |
| 開(kāi)關(guān)卡設(shè)計(jì) | 0.6mm ~ 6.0mm |
| 測(cè)試步驟 | 最大步驟無(wú)限制 |
| 測(cè)試時(shí)間 | 開(kāi)路/短路測(cè)試:每1024點(diǎn)約1Sec |
| 元件測(cè)試:每一元件約2mSec至40mSec(可程序) | |
| 測(cè)試功能及范圍 | 電阻 50mΩ～100MΩ±1%～5% |
| 電容 1pF～100mF±1%～5% | |
| 電感 1uH～60H±2%～5% | |
| 二極管 0.1V～9V±1%～3% | |
| 穩(wěn)壓二極管 0.1V～15V | |
| 電晶體 三端測(cè)試Vce飽和電壓β值 | |
| 場(chǎng)效應(yīng)管 三端測(cè)試Vds,Cds | |
| 光藕及繼電器 四端測(cè)試其導(dǎo)通電壓或電阻值 | |
| 電解電容極性 利用外殼與正負(fù)極的頻譜特性檢測(cè),可測(cè)率99% | |
| RLC串并聯(lián) 頻率測(cè)試法或相位分離法 | |
| IC集成塊 IC Clamping Diode及DR模式測(cè)試空焊 | |
| SMD空焊 | HPJ測(cè)試功能 |
| 隔離點(diǎn)電路 | F2一鍵自動(dòng)隔離,每測(cè)試步驟可支持10個(gè)隔離點(diǎn) |
| 測(cè)試值上下限設(shè)定范圍 | 上限：0%-200%（0時(shí)為無(wú)窮大）下限 0%-99%（0時(shí)為無(wú)窮大） |
| 可測(cè)電路板尺寸 | 標(biāo)準(zhǔn)配備:最大可測(cè)試500mm(寬)×350mm(深) |
| 尺寸超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的可按需求定制壓床 | |
